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中国研发新型存储芯片:性能快了100万倍


发布时间:2018-11-02 13:19    来源:未知    阅读次数:()

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  mLab于2011年首次作为数据库即服务公司推出。“对开发人员的价值主张简单而有力。开发人员可以使用云服务来处理这一关键基础架构,而不是自托管和管理可能是应用程序堆栈(数据库)中最复杂和难以管理的层。通过这样做,开发人员可以专注于他们的应用程序,因为他们的数据库的配置,扩展,备份,监控和管理得到了解决,“mLab的首席执行官Will Shulman在一篇文章中写道。

  香港商报记者伍敬斌一边参观一边问:“来参观的香港人多吗?”基地动物管理部部长李果直言,不算多,“我们对香港同胞永久免费,但是前些年因为道路不便游客较少,现在道路好了但知晓率还不够高。”

  该局对特殊药品始终坚持“严格监管、检查到位、源头跟踪、确保安全”的原则,保证特殊管理药品“管得住、用得上、不流失”。对在监督检查中发现的涉及特殊管理药品违法违规行为,坚决严管、严查、严办,零容忍,确保人民群众用药安全。

  原标题:NoSQL越来越霸气,MongoDB收购云数据库平台mLab

  为防止特殊药品和空药品包装残留物被不法分子收集提炼,危害广大群众身体健康,也为避免该药品随意丢弃造成环境污染,本次行动中,242个规格为1ml:1mg,每瓶装500ml的盐酸美沙酮口服溶液空桶在该局工作人员仔细检查确认无误后,被无害化集中焚烧销毁处理。

  相比三星、东芝、美光等公司,中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年,不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术,前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存,性能是普通存储芯片的1000倍,现在更厉害的来了——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片,他们使用了半导体结构,研发的存储芯片性能优秀,是传统二维存储芯片的100万倍,而且性能更长,刷新时间是内存的156倍,也就是说具备更强的耐用性。

  映卧路即将迎来最后的竣工验收,田应军十分珍惜每一次与香港专家相处的日子。“道路建设期间,我们联合开展了地质灾害防治等技术的研究,积累了丰富的经验。”田应军说,希望道路建成后,四川与香港的专家仍然能够在这些领域开展更多合作,为世界上的类似案例提供更好的解决方案。

  “快来尝尝,口味怎么样,吃得惯不?”杨云刚拉着客人询问,他期待四川与香港、澳门的联系越来越紧密,在基础设施日渐完善的情况下,希望加强旅游观光产业的合作,让更多香港同胞、澳门同胞能品尝到他做的“带劲豆花”和“幸福酥肉”。

  DIY玩家应该知道内存、闪存各自的优缺点——内存速度极快,但是断电就会损失数据,而且成本昂贵,闪存的延迟比内存高一个量级,但好处就是能保存数据,同时成本更低,所以业界一直在寻找能同时具备内存、闪存优点的存储芯片,也就是能保存数据的同时具备极快的速度。

  英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性, 号称性能是闪存的1000倍,耐用性是闪存的1000倍,前面新闻提到的PCM相变存储也是类似的技术,能够在断电时保存数据同时性能类似内存,只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存、闪存这样成熟的地步。

  “映卧路建成后作用如何?”大公报记者刘天骄问。田应军说,道路打通了成都前往卧龙、四姑娘山等旅游景区的重要通道,“现在只要到旺季,沿途的旅店几乎一房难求”。

  中国学者研发的存储芯片也是这个方向的,根据他们发表在《自然⋅纳米技术》杂志上的论文来看,他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理,因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰,所以张卫、周鹏团队使用的是半浮栅极(semi-floating gate)晶体管技术,他们据此展示一种具有范德⋅瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构,这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。马云说互联网时代如果你不想再过这打工的日子,想找一份可以在家里陪着家人玩玩手机就能赚钱的行业,请记下我的微信252061583前来了解。

  作为收购的一部分,mLab将把用户迁移到MongoDB的通用数据库MongoDB Atlas。 Atlas具有操作和安全功能以及自动执行复杂任务的能力。mLab将在未来几个月内向用户提供有关迁移的具体详细信息,并解释说用户至少在四个月内无需执行任何操作。mLab希望用户在未来12个月内完全迁移到Atlas。迁移后,用户应体验相同或更少的硬件和成本。此外,mLab计划为用户提供迁移所需的工具,同时尽可能减少停机时间。

  红网时刻10月29日讯(吉首分站通讯员 刘月园 孙蔚)10月26日,吉首市食品药品工商质量监督管理局联合市卫计局、市疾控中心在太平乡太平村集中销毁盐酸美沙酮口服溶液容器。

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  具体来说,与DRAM内存相比,它的数据刷新时间是前者的156倍,也就是能保存更长时间的数据,同时具备纳秒(ns)级的写入速度(NAND闪存的延迟一般在毫秒级),与传统二维材料相比其速度快了100万倍。,所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。

  当然,这个技术进展还是很不错的,只是别指望技术很快量产,更不可能在未来两三年内进入市场,但凡同时具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题,并没有成熟到量产上市的地步,传统内存、闪存还有很长的寿命。

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